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tingke
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    v4 v5  
    8080
    8181== 参数设置
     82* 主要参数开关
     83{{{
     84    int store_size=10;  //数据储存步长
     85    int DATA_NUBEAM=2;  //0 单粒子, 1 多粒子束, 2 由NUBEAM生成的源分布
     86    int CO_CTR_TANG_PERP=2;     //束编号
     87    int A0BEAM=0;   //0 束1，1 束2
     88    int CLOCKWISE=1;    //纵向磁场方向 1 逆时针 ,-1 顺时针
     89    int CHECKPOINT=0;   //checkpoint开关 1 使用checkpoint处数据, 0 使用初始设定数据
     90    int RIP=0;      //波纹场设置 0 无波纹, 1 解析波纹场, 2 EAST工程波纹场, 3 鱼尾波纹场(DEVICE=4), 4 BEST 3.6m半径波纹场工程数据(DEVICE=5), 5 CFETR 7.2m半径波纹场工程数据 (DEVICE=4)
     91    int NORMALIZATION=1;       //归一化开关
     92    int SPLITTING=1;    //分裂法开关
     93    int DEVICE=7;           //装置参数, 0 EAST放电#93910, 1 BEST 3.3m半径 Q=1情况, 2 BEST 3.3m半径 Q=5情况, 3 BEST 3.3m大半径NBI Q=1情况, 4 CFETR稳态alpha粒子分布, 5 BEST 3.6m alpha粒子 Q=1情况, 6 BEST 3.6m半径 Q=5情况, 7 EAST放电#101735
     94    int ICRF=1;             //当DEVICE=7, 不同少子浓度下ICRF加热NBI, 0 只有NBI, 1 1% H, 2 5% H and 3 10% H
     95    int COLLISION=0;    //0 无碰撞, 1 和电子碰撞， 2 和D离子碰撞, 3与T离子的碰撞, 4 和电子以及D的碰撞, 5 和电子以及T的碰撞, 6 和离子D以及T的碰撞, 7 同时包含对电子以及所有类型离子的碰撞ions.
     96    int BC=1;           //0 最外层闭合磁面边界, 1 第一壁边界
     97    int MHD=1;          //0 没有MHD, 1 含有MHD扰动场
     98    int MHD_OVERLAP=0;  //0 MHD没有重叠，1 MHD的(2,1)和(3,2)重叠
     99}}}